Samsung Electronics освоїла випуск 3-нм продукції в поєднанні з використанням структури транзисторів з навколишнім затвором (GAA) ще в середині 2022 року, випередивши всіх конкурентів, але істотного успіху серед клієнтів це їй не принесло.
Зараз Samsung розраховує до 2027 року впровадити 1,4-нм літографічні норми, а також почати застосування підведення живлення зі зворотного боку кремнієвої пластини ще в рамках 2-нм техпроцесу.
Про це стало відомо за підсумками виступу представників Samsung на профільному заході, як зазначають Bloomberg і Reuters. Компанія нагадала своїм клієнтам, що вона може одночасно постачати їхні прискорювачі обчислень пам’яттю типу HBM, займатися виробництвом чипів і їхнім подальшим пакуванням. Уже саме по собі таке поєднання компетенцій дасть змогу скоротити час виробничого циклу на 20 %.
За прогнозами Samsung, до 2028 року ємність ринку напівпровідникових компонентів зросте до $778 млрд, багато в чому завдяки поширенню прискорювачів обчислень для систем штучного інтелекту. Безпосередньо Samsung розраховує на той час збільшити кількість клієнтів, які замовляють у неї у виробництво таку продукцію, у п’ять разів від поточного рівня, а супутню виручку підняти в дев’ять разів. Представники Samsung поділяють погляди засновника OpenAI Сема Альтмана (Sam Altman) на потреби галузі у виробничих потужностях для випуску прискорювачів обчислень. На його думку, для задоволення попиту необхідно буде побудувати десятки нових підприємств з випуску чипів.
Транзистори з круговим затвором (GAA), як вважає Samsung, відіграватимуть дедалі вагомішу роль у виробництві складних чипів за передовими технологіями. До масового виробництва 3-нм чипів другого покоління компанія розраховує приступити в другій половині поточного року.