У Nature представили епітаксійне вирощування бор-вуглець-нітридного напівпровідника
У Nature представили метод епітаксійного вирощування на рівні пластини p-типового бор-вуглець-нітриду для транзисторних структур.
Міжнародна група дослідників представила технологію епітаксійного вирощування на рівні пластини p-типового бор-вуглець-нітриду з високою рухливістю носіїв заряду. Роботу опублікували 30 вересня 2026 року в журналі Nature.
Серед авторів дослідження — фахівці Токійського університету, Національного університету Тайваню, Національного університету Ян Мін Цзяо Тун, Academia Sinica, Національного інституту матеріалознавства Японії та інших наукових установ.
Дослідження матеріалу
У роботі йдеться про бор-вуглець-нітридний матеріал, вирощений методом епітаксії у масштабі пластини. Для дослідження його властивостей автори використовували високороздільну сканувальну трансмісійну електронну мікроскопію, вимірювання методом мікроскопії кельвінівського зонда та сканувальну тунельну спектроскопію.
Транзисторні структури
Дослідники також виготовляли польові транзистори на основі бор-вуглець-нітриду. У межах роботи команда розробила схеми електродів, аналізувала передавальні та вихідні характеристики транзисторів і наносила діелектрик HfO₂. Теоретичні розрахунки електронних властивостей виконували за допомогою пакета VASP версії 6.3.2.
Дані, що підтверджують висновки дослідження, доступні у статті та додаткових матеріалах, а також можуть бути надані авторами на запит.
