Двовимірний напівпровідник BCN може посилити розвиток електроніки
Напівпровідник BCN може допомогти створювати ефективніші двовимірні електронні пристрої завдяки транспортуванню дірок.
Дослідники описали напівпровідник борон-вуглецевий нітрид (BCN), який потенційно може розв’язати проблему створення ефективних двовимірних пристроїв для транспортування позитивних носіїв заряду — дірок. Як повідомляє Nature, матеріал може стати основою для наступного покоління високопродуктивної електроніки.
Проблема транспортування дірок
Електричний струм у напівпровідниках виникає завдяки руху негативно заряджених електронів або позитивних носіїв заряду, відомих як дірки. Дослідження атомарно тонких напівпровідників уже дали змогу отримати двовимірні матеріали, що ефективно переносять електрони. Водночас пошук аналогічних матеріалів для ефективного перенесення дірок виявився значно складнішим.
Основа для комплементарних пристроїв
Відсутність ефективних p-типових двовимірних напівпровідників була суттєвою перешкодою для розвитку комплементарної двовимірної електроніки. Такий підхід передбачає поєднання пристроїв на основі n-типових матеріалів, що транспортують електрони, з еквівалентними p-типовими пристроями для підвищення загальної продуктивності та енергоефективності.
Автори огляду вказують, що BCN потенційно заповнює цю прогалину. У пов’язаній науковій роботі дослідники повідомили про епітаксійне вирощування p-типового борон-вуглецевого нітриду на рівні пластини та його високу рухливість носіїв заряду.
