GlobalFoundries готує технологію FDX Fusion із продуктивністю рівня 7 нм
GlobalFoundries представила деталі FDX Fusion — технології чипів із продуктивністю рівня 7 нм без EUV-літографії.
GlobalFoundries розкрила нові деталі виробничої технології FDX Fusion, яка, за заявою компанії, має забезпечити продуктивність рівня 7 нм і щільність логіки рівня 8 нм без застосування EUV-літографії та транзисторів FinFET. Комерційне виробництво за цією технологією компанія планує розпочати у 2028 році, повідомляє Tom's Hardware.
Планарні транзистори замість FinFET
FDX Fusion базується на технології повністю збідненого кремнію на ізоляторі — FD-SOI. У ній застосовуватимуть удосконалені планарні транзистори, підкладки з напруженого кремнію та оптичне формування структур. Для виробництва передбачена глибока ультрафіолетова літографія DUV; на критичних шарах можуть знадобитися багаторазові етапи експонування.
За наведеними даними, щільність транзисторів FDX Fusion становитиме 56 млн на квадратний міліметр. Це приблизно вдвічі більше за показник поточного покоління 22FDX і 22FDX+, для якого вказано 30–40 млн транзисторів на квадратний міліметр. Водночас ця щільність нижча, ніж у порівнюваних процесів N7 та 8LPP, де наведено 91,2 млн і 61,2 млн транзисторів на квадратний міліметр відповідно.
Ставка на зв’язок, автомобілі та периферійний ШІ
Віцепрезидент підрозділу FD-SOI GlobalFoundries Судіпто Бозе заявив, що технологію орієнтують на мікросхеми для Wi-Fi, Bluetooth, стільникового та супутникового зв’язку, периферійні мікроконтролери з функціями інференсу, автомобільні радари й компоненти для датацентрів. У сегменті датацентрів ідеться не про центральні процесори, а про тракти передавання сигналів, зокрема схеми для підсилення слабких електричних сигналів після оптичних приймачів.
Компанія також заявляє про граничну частоту fT/fmax на рівні 500 ГГц, або 0,5 ТГц, що має бути корисним для високочастотних рішень, автомобільних радарів і систем передавання даних. FDX Fusion збереже підтримку адаптивного зміщення підкладки та поєднуватиме цифрову логіку з радіочастотними, аналоговими блоками й вбудованою пам’яттю. GlobalFoundries планує запропонувати кілька варіантів eNVM та SRAM для пристроїв периферійного ШІ.
За словами Бозе, відмова від EUV-обладнання та використання планарної технології мають дати змогу знизити вартість комплектів фотошаблонів у порівнянні з 6-нм виробництвом, а також забезпечити більшу гнучкість щодо циклу виробництва й кількості майданчиків для випуску чипів.
