Інфрачервоні детектори виростили безпосередньо на мікросхемах зчитування

Інфрачервоні детектори виростили безпосередньо на мікросхемах зчитування

Дослідники виростили інфрачервону напівпровідникову плівку безпосередньо на мікросхемі зчитування сигналів.

Дослідники виростили плівку сульфіду свинцю, чутливого до інфрачервоного випромінювання напівпровідника, безпосередньо на електронній схемі для зчитування сигналів. Створений у такий спосіб сенсор зображення продемонстрував високу чутливість до інфрачервоних довжин хвиль.

 

Поєднання матеріалу та електроніки

 

Метод має назву монолітної інтеграції in situ. Він дає змогу об’єднати вирощування матеріалу та його інтеграцію з електронікою в один етап. Схема, на якій сформували плівку, може зчитувати електричний сигнал, що надходить від напівпровідникового матеріалу.

 

Робота про інфрачервоні сенсори

 

Як повідомляє Nature, результат описано в дослідженні Li, S. та співавторів «Monolithically and in situ integrated PbS infrared imagers». Наукова стаття вийшла в журналі Nature 28 жовтня 2026 року, а короткий огляд роботи опублікували 4 листопада.