Науковці повідомили про епітаксійне вирощування p-типу бор-карбон-нітриду
Дослідники повідомили про епітаксійне вирощування на рівні пластини p-типового бор-карбон-нітриду з високою рухливістю.
Міжнародна група дослідників повідомила про епітаксійне вирощування на рівні пластини бор-карбон-нітриду p-типу з високою рухливістю носіїв заряду. Роботу опублікували 30 вересня 2026 року.
Матеріал для електроніки
Бор-карбон-нітрид у дослідженні охарактеризовано як p-типовий матеріал. P-тип означає, що основними носіями заряду в ньому є дірки. У назві роботи також вказано, що матеріал виростили епітаксійним методом у масштабі пластини та що він має високу рухливість носіїв заряду.
Автори та доступ до даних
Серед авторів дослідження — науковці з Токійського університету, Національного університету Тайваню, Національного університету Ян Мін Чяо Тун, Academia Sinica, Національного інституту матеріалознавства Японії та інших установ. За даними Nature, експериментальні дані наведено у статті та додаткових матеріалах; їх також можна отримати в авторів для листування на запит.
Для розрахунків методом теорії функціонала густини команда використовувала програмне забезпечення VASP версії 6.3.2. Автори зазначили, що власні скрипти та вхідні файли VASP доступні на запит. У виданні також вказано, що стаття пройшла рецензування.
