Terafab планує випускати мільйон кремнієвих пластин щомісяця після 2032 року

Спільний проєкт Tesla і SpaceX Terafab неофіційно повідомив виробникам обладнання про намір після 2032 року вийти на випуск 1 млн кремнієвих пластин на місяць. Близько 700 тис. із них планують спрямовувати на виробництво пам’яті, ще понад 300 тис. — на логічні мікросхеми, повідомляє Tom’s Hardware.

Команда із закупівель Terafab уже відвідала Японію та звернулася до місцевих виробників обладнання з проханням поставити частину установок упродовж найближчих місяців. Водночас серійне виробництво компанія, за повідомленням видання, планує розпочати у другій половині 2028 року.

Обсяги виробництва пам’яті

Заплановані 700 тис. пластин для пам’яті на місяць можна порівняти з оцінюваною потужністю Samsung з випуску DRAM, яка торік становила 650–700 тис. пластин щомісяця. Водночас таке зіставлення є умовним: показник Terafab охоплює всю заплановану пам’ять, зокрема потенційно NAND і DRAM, тоді як наведені оцінки Samsung та SK hynix стосуються лише DRAM.

Для порівняння, виробничі потужності SK hynix з DRAM оцінювали приблизно у 550 тис. пластин на місяць, а її завод у китайському Усі — у 200 тис. пластин. SK hynix, за даними матеріалу, має ціль досягти позначки 1 млн пластин щомісяця до 2030 року.

Технології та графік проєкту

За інформацією Jiji Press, Terafab співпрацює з Intel щодо використання технологічних процесів 2 нм і 1,4 нм для логічних чипів. Технологія виробництва пам’яті поки не розкрита, хоча компанія розглядає технічну допомогу тайванської компанії.

Вакансія Tesla для інженера з інтеграції процесів пам’яті Terafab передбачала роботу над DRAM, а також над MRAM, RRAM і 3D DRAM. Перший тестовий чип SRAM на дослідницькому майданчику в Остіні планують приблизно на травень або червень 2027 року. Пілотний завод у окрузі Граймс у Техасі може бути завершений уже в липні 2027 року; на першу фазу передбачено 16,8 млрд доларів, а сукупні інвестиції за наступних фаз можуть сягнути 119 млрд доларів.