У Nature представили кремнієво-легований напівпровідник із забороненою зоною 7 еВ
У Nature представили кремнієво-легований напівпровідник на основі α-(AlxGa1−x)2O3 із шириною забороненої зони 7 еВ.
Дослідники представили напівпровідниковий матеріал на основі кремнієво-легованого α-(AlxGa1−x)2O3 із шириною забороненої зони 7 еВ. Роботу опубліковано 7 жовтня 2026 року в журналі Nature.
Матеріал належить до системи оксидів алюмінію та галію у корундовій α-фазі. У його складі частину атомів заміщують кремнієм, тобто застосовують кремнієве легування. У назві дослідження зазначено, що отриманий матеріал є напівпровідником із забороненою зоною 7 еВ.
Робота кількох університетів
Серед авторів статті — науковці з Корнельського університету, Університету Небраски в Лінкольні, Техаського університету в Остіні та Університету Баффало. Першими авторами, які зробили рівний внесок у дослідження, вказані Джейкоб Стіл і Дебадітья Бхаттачар’я.
Роботу підтримували, зокрема, програми Національного наукового фонду США, ВПС США та Агентства передових оборонних дослідницьких проєктів США. Для дослідження також використали інфраструктуру Cornell Center for Materials Research і Cornell NanoScale Facility.
Попередні дослідження оксидного матеріалу
У списку літератури автори посилаються на попередні роботи щодо епітаксійного вирощування α-(AlxGa1−x)2O3, а також на дослідження кремнієво-легованих тонких плівок цього матеріалу. Одна з цитованих праць описувала провідні кремнієво-леговані плівки з шириною забороненої зони до 6,22 еВ.
Автори повідомили, що дані, які підтверджують результати, доступні у статті, розширених даних і додаткових матеріалах. Вихідні дані для створення графіків можна отримати на запит у відповідального автора.
